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无锡高性价比SiC碳化硅烧结银膏

更新时间:2024-12-04 03:51:49 编号:a42u0mf308c84f
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  • SiC碳化硅烧结银膏,宽禁带半导体烧结银,SiC烧结银,碳化硅烧结银

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刘志

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无锡高性价比SiC碳化硅烧结银膏

关键词
SiC碳化硅烧结银膏
面向地区
粘合材料类型
金属类

近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势,其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。

善仁新材纳米烧结银互连结构成型原理及微观结构
纳米颗粒具有特的性能,其比表面积小并且表面曲率半径小,这种特性赋予了它具有比常规的粉体更低的熔点和焊接温度。根据善仁新材研究院的经验得知:纳米银在粒径尺度在10nm以下时,它的烧结温度能降低到100℃以下,比块状时候的熔点的961℃低了800℃以上。与块状银微观结构不同是,纳米烧结银互连层是属于微孔材料,即在其内部分布有众多的微孔隙,微孔隙的尺寸位于亚微米至微米范围间。

② 进行预加热干燥,用于排除烧结银中的有机气体等挥发物,然后在高温下进行无压或压力辅助烧结,主要烧结工艺参数有:升温速率、烧结温度、烧结压强、烧结时间和气体环境等;

纳米烧结银互连层的工艺改进
善仁新材研究院比较了加压微米烧结银和无外加压力纳米烧结银,通过实验发现纳米尺度下的银具有比微米尺度下更高的烧结驱动力,避免了压力烧结条件下对芯片和基板中造成缺陷和裂纹等现象,并发现了烧结温度和烧结压强的增加会降低烧结银的孔隙大小,AS9375无压烧结银的纳米银互连层的结合强度可达45MPa。

烧结纳米银导热率及孔隙关系
孔隙对于热传导性能的影响会很大,善仁新材发现:纳米烧结银热流密度分布不均匀,有孔隙的地方会使得周围的热流密度变低,并且随着孔隙率的增加,等效热导率依次减少。空隙率越低,导热系数越高,空隙率越高,导热系数越低。

纳米烧结银互连层的蠕变性能
善仁研究院通过实验发现:蠕变应力指数以及激活能分别与环境温度和加载应力的关系很大,建议客户根据自己芯片的大小和界面的镀层材料选择适合的烧结温度和是否加压。

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