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FDMD8680,场效应管(MOSFET)ON原装优势供应商

更新时间:2024-05-12 12:25:55 编号:751kdd1n4e14ae
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周玉军

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ONSEMI/安森美常用型号15-500
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FDMD8680,场效应管(MOSFET)ON原装优势供应商

FCH085N80-F155功率场效应管, MOSFET, N沟道, SUPERFET II, 800 V, 46 A, 85 mΩ, TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,采用电荷平衡技术,具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗,提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述:
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
ON/安森美全系只做原装,我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询!

MC7905CTG系列简述:
MC7900 固定输出负线性稳压器旨在作为广受欢迎的 MC7800 系列器件的补充。该负电压稳压器提供与 MC7800 器件相同的七种电压选项。此外,负极 MC7900 系列还提供 MECL 系统中常用的一个额外电压选项。
这些线性稳压器提供 -5.0 V 至 -24 V 的固定输出电压选项,采用电流限制、热关断和安全区域补偿功能,使其在大多数工作条件下都非常坚固。通过足够的散热,它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NTMTS0D7N06CLTXG
NVMFS5C404NAFT1G
NVMFS6H801NWFT1G
NTMFS4D2N10MDT1G
NVMFS5C420NWFT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS006N12MCT1G
NVMFS6H800NWFT1G
NXH35C120L2C2S1G
ON/安森美全系只做原装,我们承诺每一片芯片均来自原厂。更多信息请咨询!

NCP1380DDR2G简述:
NCP1380是一款器件,旨在为准谐振转换器供电。该控制器利用专有的谷值锁定系统,随着功率负载变轻而换档并降低开关频率。尽管开关事件总是在漏源谷触发,但仍能实现稳定运行。该系统工作到第 4 谷,并切换到变频模式,确保出色的待机功率性能。为了提高过载情况下的安全性,该控制器包括一个过功率保护 (OPP) 电路,该电路将输送的功率箝位在高压线路上。在安全方面,固定的内部定时器依靠反馈电压来检测故障。定时器结束后,控制器停止并保持选项 A 和 C 的锁定状态,或进入选项 B 和 D 的自动恢复模式。 该控制器特别适用于适配器应用,其引脚可实现组合过压/过热保护(A 和 B 型)或组合掉压/过压保护(C 和 D 型)。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
FGY120T65SPD-F085
FGH40T65SHDF-F155
FCHD040N65S3-F155
NVD5117PLT4G-VF01
NTMFS002P03P8ZT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G
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NCV8405ASTT1G简述:
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
NTMFS0D9N03CGT1G
NTMFS1D7N03CGT1G
NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFS002N04CLTAG
NTTFS3D7N06HLTWG
NVATS5A113PLZT4G
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT1G
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NCV8450ASTT3G简述:
该NCV8450是一款完全受保护的高侧智能分立器件,典型 RDSOn 为 1 Ω,内部电流限制为 0.8 A(典型值)。该器件可以切换各种电阻、电感和容性负载。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
ISL9V5045S3ST-F085C
NVMFS5C612NLWFAFT1G
FCPF250N65S3L1-F154
NVMFS5C410NWFAFT3G
FCH165N65S3R0-F155
NVMFS5C404NWFAFT1G
NB7NPQ1404E2MMUTWG
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CAT4104V-GT3简述:
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流,可驱动串联的高亮度 LED,每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压,支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护,可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表(部分型号):
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
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深圳市鑫富立科技有限公司
  • 唐苏军
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  • 有限责任公司(自然人独资)
  • 2018-12-27
  • 人民币1000000万
  • IC集成电路
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